《半導體》DRAM跌幅收斂 華邦電獲外資捧上月

《半導體》DRAM跌幅收斂 華邦電獲外資捧上月
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外資連3日買超,華邦電週四收紅,站穩29元關卡、月線,持續挑戰前高29.7元。

華邦電今年第二季受到PC急單逐月增溫,相較於首季低點約有20~30%增幅,雖然下游客戶庫存逐漸恢復正常,但有部分長短料調節,華邦電今年第二季營收爲188.11億元,季增7.39%、年減29.40%;若扣除子公司新唐(4919),記憶體本業營收約達98.58億元,季增15.16%,符合內部預期。產能利用率的部分,因應需求回升,中科廠第二季稼動率已回到70-80%,公司期望今年第三季稼動率站穩80%。

隨終端客戶第三季進入傳統備貨需求,各類應用市場將可望較第二季進一步回溫,除PC帶來庫存回補的動能,近期TV面板報價回升,顯示驅動IC(DDI)需求漸熱,帶動記憶體搭載量增加。網通產品雖然上半年需求較低迷,但也預估在今年第四季庫存回補需求發酵,出貨動能有望延續成長。

價格方面,根據TrendForce,目前觀察Consumer DRAM交易仍冷清,同時SK Hynix延長無錫廠DDR3及DDR4 4Gb供應,產能將陸續開出;華邦電也進入量產階段,後續投片將逐季增加,故Consumer DRAM市場仍供過於求。不過,由於原廠已陸續減產,實際效應會發生在今年第三季,加上原廠虧損嚴重,此今年第三季將收斂Consumer DRAM均價跌幅至0~5%。

華邦電2023年資本支出預估爲121億元,年減70.34%,大部分用於高雄廠建廠及提升製程品質、新制程研發等支出。折舊費用部份,臺中廠因爲折舊到期,但高雄新廠產能開出,一增一減下,2023年折舊費用預估年增加10%。華邦電規畫,高雄路竹廠20nm產品可望今年第四季量產,預期2023年底到明年第一季時,高雄廠月產能可達14K片。

雖然景氣不佳,華邦電持續計劃往更高階製程轉進,且每一個產品線要在一線客戶的滲透率拉高,有助產品單價以及獲利表現。DRAM產品部份,25S nm技術爲2023年的重點,Flash則是轉爲46nm,持續優化產品組合與客戶組成,提升毛利率。長期來看,穿載裝置、網通 WiFi6/7、物聯網、車用、遠端應用、工業加速數位轉型及美國啓動基建,都將搭載更多容量的利基型DRAM及NOR/NAND Flash。惟在各記憶體廠減產下,報價都尚未止穩,價格築底時間較預期長,短期虧損壓力仍大。

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